Đăng nhập

Phison giới thiệu NAND controller hiệu suất cao E12 và S12

Theo đó, hai vi điều khiển Flash NAND hiệu suất cao là E12 và S12 sẽ được Phison chính thức tung ra thị trường vào tháng Mười tới. Điều này cũng góp phần thay đổi hình ảnh của Phison, không chỉ là nhà sản xuất vi điều khiển Flash NAND phổ thông như hiện nay.

Về mặt kỹ thuật, E12 được xem là điểm sáng của dòng vi điều khiển mới của Phison với tốc độ đọc ghi dữ liệu ấn tượng. Cụ thể tốc độ đọc tuần tự đạt 3.200 MB/s, ghi đạt 3.000 MB/s trong khi hiệu suất đọc ghi dữ liệu ngẫu nhiên là 600.000 IOPS (lượt dữ liệu vào/ra mỗi giây).

Phison Controller_tinhte.vn.jpg
Tất nhiên những con số trên chỉ mang tính lý thuyết vì hiệu suất thực tế bị ảnh hưởng bởi một vài thành phần khác như loại flash NAND sử dụng, thiết kế firmware có tối ưu không cũng như một số chức năng bổ trợ khác. Bạn có thể tìm hiểu thêm về SSD trong bài viết này
.

Để đạt được tốc độ trên, Phison E12 sẽ sử dụng 4 tuyến PCI Express 3.0 để truyền dữ liệu dựa theo giao thức NVMe. Trong khi đó, S12 vẫn sử dụng giao tiếp phổ biến là SATA III với tốc độ đọc ghi tuần tự lần lượt là 550 MB/s và 530 MB/s, tức gần đạt đến ngưỡng giới hạn của chuẩn SATA hiện nay.

Ngoài sự khác nhau về giao tiếp, tốc độ và hiệu suất IOPS thì các tính năng khác của hai controller E12 và S12 là giống nhau, chẳng hạn hỗ trợ 3D NAND MLC/TCL và cả QLC (quadruple level cell), 8 kênh I/O, tích hợp công nghệ sửa lỗi ECC LDPC, DPP.
Phison Controller specs.jpg

Nguồn tham khảo: Techpowerup.com
 
Phison giới thiệu NAND controller hiệu suất cao E12 và S12

Phison giới thiệu NAND controller hiệu suất cao E12 và S12

Bình luận

 Bình luận
1 Bình luận
bambinigroup
good
Thích ⋅ Trả lời ⋅ 19 ngày trước